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論文

Utilization of TIARA facilities

渡辺 博正; 田中 進; 西村 浩一; 細野 雅一

JAERI-Review 95-019, p.245 - 246, 1995/10

平成6年度に提供されたマシンタイムは、サイクロトロンが212日、タンデム加速器が148日、シングルエンド加速器が140日、イオン注入装置が125日であった。これらのマシンタイムの研究分野別の割合、利用形態別の割合を図で示す。また、採択された実験課題数の推移や7年度の利用計画についても報告する。

論文

Development of visual beam adjustment method for cyclotron

上松 敬; 荒川 和夫; 奥村 進; 中村 義輝; 横田 渉; 奈良 孝幸; 石堀 郁夫

JAERI-Review 95-019, p.211 - 213, 1995/10

サイクロトロンのビーム軌道可視化調整技術の開発は、サイクロトロンの設計に用いた計算コード等により、多変数操作空間における最適値の探索を行うとともに、ビーム軌道等を模擬し、実運転に反映される新しい加速器制御技術の手法を開発することを目的としている。主な機能は、ビーム軌道の可視化、パラメータ設定可能領域表示とビーム調製履歴の表示である。計算上の軌道と実ビーム軌道の差の要因を検討した。垂直入射および中心領域については、追加実験を行い、引出し領域については、本システムの軌道モデルと実軌道から求めたエネルギーを比較し、その補正方法を検討した。その結果、軌道半径法と3点計測法で補正を加えたエネルギーは、引出しエネルギーに対して誤差が$$pm$$0.5~2%であることがわかった。

論文

Heavy ion irradiation effect on light absorption of polymer films

荒川 哲人*; 笠井 昇; 山本 春也; 瀬口 忠男

JAERI-Review 95-019, 0, p.80 - 82, 1995/10

高分子フィルムにNi$$^{4+}$$(15MeV)を照射したときの光の吸収量(吸光度)の変化を調べ、電子線照射と比較した。イオンの吸収線量を求め、線量に対する吸光度の変化を電子線照射と比較すると、約200倍大きくなった。しかし、電子線の場合にも、電流(線量率)を上げると、吸光度が増大することから、イオン照射では線量率の効果が大きく寄与していると考えられる。

論文

High energy ion irradiation effects on polymer materials,3

工藤 久明; 貴家 恒男; 瀬口 忠男

JAERI-Review 95-019, 0, p.77 - 79, 1995/10

種々の高分子材料にH$$^{+}$$、He$$^{2+}$$などの軽イオンを照射したとき、力学特性、架橋・切断の挙動は吸収線量にのみ依存し、電子線や$$gamma$$線照射と同一であることが確かめられた。放射線の種類により、LETは大きく異なるが、照射効果が同一であることは、反応の起る空間分布はLETにさほど依存しないこと、すなわち、LETは大きくても空間的エネルギー付与の密度は大きくならないことと解釈できる。

論文

First operation of 18-GHz ECR ion source

横田 渉; Wu, Y.*; 齋藤 勇一; 石井 保行; 奈良 孝幸; 荒川 和夫

JAERI-Review 95-019, p.221 - 222, 1995/10

放射線高度利用において必要性の高まっている金属イオン生成を主な目的としたECRイオン源を建設し、昨年6月より試運転を開始した。本ECRイオン源は、18GHzの高いマイクロ波周波数と1.4Tの強力な磁場を用いているのが特徴であり、これまで、Arイオン生成によりイオン源の性能を高めるための調整や改良を行っている。この結果、プラズマチェンドー内の真空度を更に高める必要がある等の問題点が判明し、真空ポンプの付加等により対処した結果、Ar$$^{12+}$$までのイオンを確認することができた。更に調整を進め多価イオン生成の充分な性能を得た後に、金属イオン生成試験に移行する予定である。

論文

Beam diagnostic development for the cyclotron

奥村 進; 石堀 郁夫; 福田 光宏; 上松 敬; 横田 渉; 中村 義輝; 奈良 孝幸; 荒川 和夫

JAERI-Review 95-019, p.214 - 216, 1995/10

サイクロトロンで加速されたパルスビームの時間計測を行うシステムと大面積照射における二次元フルエンス分布を測定するシステムを試作し、イオンビームを用いて計測実験を行った。時間計測システムはビーム中へ挿入したターゲットから放出される電子を電場で収集し、マイクロチャンネルプレートで増幅して時間信号を生成する。収集電圧やターゲットの種類等によって検出特性が変化することが判明した。フルエンス分布測定システムはサイクロトロンの入射ビームラインへ設置されているビームアテネータでビーム強度を減衰させてParallel Plate Avalanche Counter (PPAC)および半導体検出器でイオンの入射位置を検出して二次元分布を測定する。検出面積はPPACが120$$times$$120mm、半導体検出器が50$$times$$50mmである。重イオンに対してはPPACを、軽イオンに対しては半導体検出器を用いることで二次元フルエンス分布が測定できた。

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